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IXTN550N055T2
48
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Junction Temperature
48
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Drain Current
46
44
42
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
46
44
42
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
T J = 125oC
40
I
D
= 200A
40
38
38
36
I
D
= 100A
36
T J = 25oC
34
32
34
32
25
35
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115
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60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times
vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Junction Temperature
400
120
350
150
350
300
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
105
90
300
250
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
140
130
250
75
200
I D = 200A
60
200
150
I D = 200A
120
110
150
100
I D = 100A
45
30
100
I D = 100A
100
50
15
50
90
0
1
1.5
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2.5
3
3.5
4
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5
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0
25
35
45
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75
85
95
105
115
80
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Gate Resistance
350
180
500
500
300
250
T J = 125oC
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
160
140
400
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
I D = 200A, 100A
400
200
120
300
300
150
T J = 25oC
100
200
200
100
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T J = 125oC
60
40
100
0
100
0
40
60
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100
120
140
160
180
200
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
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